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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.85 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 基于收集器的最大容量： | 15 pF | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | VCEsat-Max： | 3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2443 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N2444 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| 2N2445 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-41 |
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| 2N2453 | CENTRAL | Dual Transistors |
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| 2N2453 | NJSEMI | DUAL BIPOLAR NPN DEVICES IN A HERMETICALLY SEALED LCC2 CERAMIC SURFACE MOUNT |
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| 2N2453A | CENTRAL | Dual Transistors |
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