2N2369AUBC

更新时间： 2024-02-20 03:02:12

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
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2页	49K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N2369AUBC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	18 ns	最大开启时间（吨）：	12 ns
Base Number Matches：	1

2N2369AUBC 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/317

DEVICES

LEVELS

2N2369A

2N2369AU

2N2369AUA

2N2369AUB

2N2369AUBC *

2N4449

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

* Available to JANS quality level only.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

2N2369A / U / UA

2N4449 / UB / UBC

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

Vdc

2N2369A / U / UA

2N4449 / UB / UBC

4.5

6.0

TO-18 (TO-206AA)

2N2369A

V_EBO

Vdc

Collector-Base Voltage

V_CBO

I_CES

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Total Power Dissipation @

T_A= +25°C

2N2369A; 2N4449

UA, UB, UBC

0.36 ⁽¹⁾

0.36 ^{(1, 5)}

0.50 ⁽⁴⁾

P_T

TO-46 (TO-206AB)

2N4449

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op, T_stg

-65 to +200

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Parameters / Test Conditions

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Ambient-to-Case

2N2369A; 2N4449

UA, UB, UBC

400

400 ⁽⁵⁾

350

°C/W

R_θJA

SURFACE MOUNT

Note:

1. Derate linearly 2.06 mW°/C above T_A= +25°C.

2. Derate linearly 4.76 mW°/C above T_C= +95°C.

3. Derate linearly 3.08 mW°/C above T_C= +70°C.

4. Derate linearly 3.44 mW°/C above T_A= +54.5°C.

5. Mounted on FR-4 PCB (1Oz. Cu) with contacts 20 mils larger than package pads.

SURFACE MOUNT

UB & UBC

(UBC = Ceramic Lid Version)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10mAdc

V_(BR)CEO

I_CES

Vdc

SURFACE MOUNT

U (Dual Transistor)

Collector-Base Cutoff Current

V_CE= 20Vdc

0.4

μAdc

T4-LDS-0057 Rev. 2 (081394)

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