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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 最小击穿电压： | 650 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | X-XUPM-D4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 100 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 160 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4438F | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4438FS | MICROSEMI | 暂无描述 |
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| 1N4438FT | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-4 |
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| 1N4438S | MICROSEMI | 暂无描述 |
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| 1N4438T | MICROSEMI | Bridge Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 10A, 600V V(RRM), Silicon, |
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| 1N443B | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 400V 10A |
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