是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOP, SOP8,.25 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 5.61 |
最大时钟频率 (fCLK): | 0.1 MHz | 数据保留时间-最小值: | 200 |
耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 4.9 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256X8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | TS 16949 |
座面最大高度: | 1.75 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.005 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 3.9 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
11AA02E64T-I/TT | MICROCHIP | SPI BUS SERIAL EEPROM |
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11AA02UID | MICROCHIP | 2K UNI/O® Serial EEPROM with Unique 32-Bit S |
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11AA02UID-I/SN | MICROCHIP | SPI BUS SERIAL EEPROM |
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11AA02UID-I/TT | MICROCHIP | 2K UNI/O® Serial EEPROM with Unique 32-Bit S |
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11AA02UIDT-I/SN | MICROCHIP | SPI BUS SERIAL EEPROM |
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11AA02UIDT-I/TT | MICROCHIP | SPI BUS SERIAL EEPROM |
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