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Datasheet > 存储 > EEPROM> 11AA040-I/P
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11AA040-I/P

更新时间： 2024-09-17 06:24:35
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
38页 571K
描述
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet

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11AA040-I/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：10 weeks
风险等级：2.3Is Samacsys：N
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz数据保留时间-最小值：200
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.271 mm
内存密度：4096 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：512 words
字数代码：512工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.334 mm串行总线类型：1-WIRE
最大待机电流：0.000005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
写保护：SOFTWAREBase Number Matches：1

11AA040-I/P 数据手册

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11AA010/11LC010  
11AA020/11LC020  
11AA040/11LC040  
11AA080/11LC080  
11AA160/11LC160  
1K-16K UNI/O® Serial EEPROM Family Data Sheet  
Features:  
Description:  
• Single I/O, UNI/O® Serial Interface Bus  
• Low-Power CMOS Technology  
The Microchip Technology Inc. 11AAXXX/11LCXXX  
(11XX*) devices are a family of 1 Kbit through 16 Kbit  
Serial Electrically Erasable PROMs. The devices are  
organized in blocks of x8-bit memory and support the  
patented** single I/O UNI/O® serial bus. By using  
Manchester encoding techniques, the clock and data  
are combined into a single, serial bit stream (SCIO),  
where the clock signal is extracted by the receiver to  
correctly decode the timing and value of each bit.  
- 1 mA active current, typical  
- 1 µA standby current (max.) (I-temp)  
• 128 x 8 through 2,048 x 8 Bit Organizations  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce  
• 100 kbps Max. Bit Rate – Equivalent to 100 kHz  
Clock Frequency  
Low-voltage design permits operation down to 1.8V (for  
11AAXXX devices), with standby and active currents of  
only 1 uA and 1 mA, respectively.  
• Self-Timed Write Cycle (including Auto-Erase)  
• Page-Write Buffer for up to 16 Bytes  
• STATUS Register for Added Control:  
- Write enable latch bit  
The 11XX family is available in standard packages  
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced  
packaging including 3-lead SOT-23, 8-lead TDFN,  
and 8-lead MSOP.  
- Write-In-Progress bit  
• Block Write Protection  
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array  
• Built-in Write Protection  
Package Types (not to scale)  
MSOP  
(MS)  
PDIP/SOIC  
(P, SN)  
- Power-on/off data protection circuitry  
- Write enable latch  
NC  
NC  
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC  
NC  
• High Reliability  
1
2
3
4
8
7
6
5
NC  
NC  
NC  
V
NC  
NC  
SCIO  
CC  
- Endurance: 1,000,000 erase/write cycles  
- Data retention: > 200 years  
- ESD protection: > 4,000V  
NC  
NC  
VSS  
VSS  
SCIO  
• 3-lead SOT-23 Package  
SOT23  
TDFN  
(MN)  
• 8-lead PDIP, SOIC, MSOP, TDFN Packages  
• Pb-Free and RoHS Compliant  
• Available Temperature Ranges:  
(TT)  
1
2
3
4
NC  
8
7
6
5
VCC  
NC  
VCC  
2
1
NC  
NC  
VSS  
3
- Industrial (I):  
- Automotive (E):  
-40°C to +85°C  
-40°C to +125°C  
NC  
SCIO  
VSS  
SCIO  
Pin Function Table  
Name  
Function  
SCIO  
VSS  
Serial Clock, Data Input/Output  
Ground  
VCC  
Supply Voltage  
* 11XX is used in this document as a generic part number for the 11 series devices.  
®
** Microchip’s UNI/O Bus products are covered by the following patent issued in the U.S.A.: 7,376,020.  
© 2008 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS22067E-page 1  
1234567...38

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