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D2200N24TVFHOSA1

更新时间： 2024-01-11 20:45:43

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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8页	240K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2200A, 2400V V(RRM), Silicon,

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D2200N24TVFHOSA1 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	O-CEDB-N2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.71
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.3 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	35000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	160 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	2200 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
最大重复峰值反向电压：	2400 V	最大反向电流：	150000 µA
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

D2200N24TVFHOSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D2200N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

V_RRM

2000 V

2200 V

2400 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

^PerK^iode^isn^cn^heda^St^pe^itzn^{ensperrspannung}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

4900 A

maximum RMS on-state current

T_C= 100 °C

Dauergrenzstrom

2200 A

3150 A

average on-state current

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

average on-state current

4950 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj=25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

41000 A

35000 A

8405 10³A²s

6125 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 9,4 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 2,0 kA

v_F

max.

2,3 V

1,2 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,83 V

mΩ

0,145

Ersatzwiderstand

slope resistance

-4,860E-01

1,750E-04

2,311E-01

-9,977E-03

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

600 A ≤ i_F≤ 11000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

150 mA

reverse current

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

max. 0,0169 °C/W

max. 0,0160 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

max. 0,0329 °C/W

max. 0,0320 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,0025

beidseitig / two-sided

max.

°C/W

0,0050 °C/W

einseitig / single-sided

160

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

T_{vj max}

T_{c op}

-40...+160 °C

operating temperature

T_stg

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-06-15

prepared by:

revision:

2.0

approved by: M.Leifeld

A 18/09

1/8

IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
D2201	SEME-LAB	METAL GATE RF SILICON FET	获取价格
D22012B	NKK	General Specifications	获取价格
D22012H	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LB	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LH	NKK	General Specifications	获取价格
D22012LP	NKK	General Specifications	获取价格

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