生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.59 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
GM76C256CLT-55W | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
获取价格 |
|
GM76C256CLT-70 | ETC | x8 SRAM |
获取价格 |
|
GM76C256CLT-70/E | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
获取价格 |
|
GM76C256CLT-70W | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
获取价格 |
|
GM76C256CLT-85 | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
获取价格 |
|
GM76C256CLT-85E | HYNIX | Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28 |
获取价格 |