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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP22,.4 | 针数： | 22 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.89 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T22 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 22 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 75 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256X9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.185 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | COMMERCIAL EXTENDED |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 93479ADCQR | TI | IC 256 X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP22, CERAMIC, DIP-22, Static RAM |
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| 93479ADM | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 |
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| 93479ADMQB | NSC | 256 x 9-Bit Static Random Access Memory |
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| 93479ADMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22 |
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| 93479ADMQBQR | TI | 256X9 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP22, CERAMIC, DIP-22 |
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| 93479AFMQB | FAIRCHILD | Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, CDFP22, |
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