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85HF100M

更新时间: 2024-02-13 19:05:00
品牌 Logo 应用领域
NAINA 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 75K
描述
SILICON POWER DIODE

85HF100M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.69
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JEDEC-95代码:DO-5JESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:1800 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:180 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:85 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:9000 µA表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

85HF100M 数据手册

  
85HF / 85HFR  
NAINA  
SILICON POWER DIODE  
DO-5  
FEATURES  
Diffused Series  
7
Available in Normal & Reverse Polarity  
Industrial Grade  
POLARITY  
Ø 4.0  
A
C
27  
12  
Available In Avalanche Characteristic  
* Available in metric and UNF thread  
ELECTRICALSPECIFICATIONS  
C
A
Reverse  
Normal  
17 A/F  
11.5  
M8 x 1.25  
16  
IF  
Maximum Average Forward  
Current T=1250C  
85A  
1.4V  
Ø 8.0  
VFM  
IFSM  
IFRM  
Maximum peak forward  
voltage drop @ Rated IF(AV)  
Maximum peak one cycle  
(non-rep) surge current 10 m sec  
Maximum peak repetitive surge current  
POLARITY  
A
C
A
1270 A  
405 A  
C
Reverse  
Normal  
32  
12  
17 A/F  
2
2
I t  
Maximum I t rating (non-rep.) for 5 to 10  
8064  
2
11.5  
M 8 x 1.25  
msec.  
A
Sec  
THERMALMECHANICALSPECIFICATIONS  
θJC  
Tj  
Maximum thermal resistance Junction to case  
Operating Junction Temp.  
Storage temperature  
Mounting torque  
(Non-lubricated threads)  
Approx, weight  
0.500C/W  
-650C to 1500C  
-650C to 2000C  
0.4 M-kg min,  
0.6 M-kg max  
13.5 & 30 gms.  
Tstg  
W
ELECTRICALRATINGS  
TYPE  
VRRM  
85HF/HFR  
Max. repetitive peak reverse  
voltage (v)  
10  
100  
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
200 400 600  
800 1000  
1200 1400 1600  
VR(RMS) Max. R.M.S. reverse voltage(V)  
70  
140 280 420  
200 400 600  
560  
700  
840  
980 1120  
VR  
Max. D.C. Blocking Voltage (V)  
100  
800 1000  
1200 1400 1600  
Recommended R.M.S. working  
Voltage(v)  
40  
80  
160 240  
320  
200  
400  
200  
480  
200  
560  
200  
640  
200  
IR(AV)  
Max. Average reverse leakage  
200  
200 200 200  
current @ VRRM Tc 250C uA  
NAINA SEMICONDUCTOR LTD.,  
D-95,SECTOR 63 NOIDA(INDIA)  
e-mail: sales@nainasemi.com , web site: www.nainasemi.com  

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