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7P24FLE221I15

更新时间： 2024-02-22 11:37:09
品牌 Logo 应用领域
WEDC 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 238K
描述
Flash Card, 12MX16, 150ns, CARD-68

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7P24FLE221I15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：CARD
包装说明：DIE,针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.88
最长访问时间：150 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-XUUC-N68内存密度：201326592 bit
内存集成电路类型：FLASH CARD内存宽度：16
功能数量：1端子数量：68
字数：12582912 words字数代码：12000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：12MX16
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.25 V最小供电电压 (Vsup)：4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

7P24FLE221I15 数据手册

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PCMCIA Flash Memory Card  
FLE Series  
White Electronic Designs  
PINOUT  
Pin  
1
Signal name  
GND  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
CE1#  
A10  
I/O  
Function  
Ground  
Active  
Pin  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
Signal name  
GND  
CD1#  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
CE2#  
VS1  
I/O  
Function  
Ground  
Active  
2
I/O  
Data bit 3  
O
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I
Card Detect 1  
Data bit 11  
LOW  
3
I/O  
Data bit 4  
4
I/O  
Data bit 5  
Data bit 12  
5
I/O  
Data bit 6  
Data bit 13  
6
I/O  
Data bit 7  
Data bit 14  
7
I
I
Card enable 1  
Address bit 10  
Output enable  
Address bit 11  
Address bit 9  
Address bit 8  
Address bit 13  
Address bit 14  
Write Enable  
Ready/Busy  
Supply Voltage  
Prog. Voltage  
Address bit 16  
Address bit 15  
Address bit 12  
Address bit 7  
Address bit 6  
Address bit 5  
Address bit 4  
Address bit 3  
Address bit 2  
Address bit 1  
Address bit 0  
Data bit 0  
LOW  
LOW  
Data bit 15  
8
I
Card Enable 2  
Voltage Sense 1  
Reserved  
LOW  
9
OE#  
A11  
I
O
N.C.  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
I
RFU  
A9  
I
RFU  
Reserved  
A8  
I
A17  
I
I
I
I
I
Address bit 17  
Address bit 18  
Address bit 19  
Address bit 20  
Address bit 21  
Supply Voltage  
Prog. Voltage  
Address bit 22  
Address bit 23  
Address bit 24  
Address bit 25  
Voltage Sense 2  
Card Reset  
A13  
I
A18  
A14  
I
A19  
WE#  
RDY/BSY#  
Vcc  
I
LOW  
LOW  
A20  
O
A21  
Vcc  
Vpp1  
A16  
N.C.  
Vpp2  
A22  
N.C.  
I
8MB (3)  
16MB (3)  
32MB (3)  
64MB (3)  
N.C.  
A15  
I
A23  
A12  
I
A24  
A7  
I
A25  
A6  
I
VS2  
O
I
A5  
I
RST  
HIGH  
A4  
I
I
Wait#  
RFU  
O
Extended Bus Cycle  
Reserved  
LOW (2)  
A3  
A2  
I
REG#  
BVD2  
BVD1  
DQ8  
I
Attrib Mem Select  
Bat. Volt. Detect 2  
Bat. Volt. Detect 1  
Data bit 8  
A1  
I
O
(2)  
(2)  
A0  
I
O
DQ0  
DQ1  
DQ2  
WP  
I/O  
I/O  
I/O  
O
I/O  
I/O  
O
Data bit 1  
DQ9  
Data bit 9  
Data bit 2  
DQ10  
CD2#  
GND  
Data bit 10  
Write Potect  
Ground  
HIGH  
O
Card Detect 2  
Ground  
LOW  
GND  
Notes:  
1. RDY/BSY is an open drain output, external pull-up resistor is required.  
2. Wait#, BVD1 and BVD2 are driven high for compatibility.  
3. Shows density for which specified address bit is MSB. Higher order address bits are  
no connects (i.e., 16MB A23 is MSB A24, A25 are NC).  
August 2000  
Rev. 4  
3
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com  
1234567...13

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