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7P20-TN3-R

更新时间： 2024-02-23 01:33:21

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描述
200V P-CHANNEL MOSFET

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7P20-TN3-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	5.7 A
最大漏源导通电阻：	0.69 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22.8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

7P20-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

7P20

Preliminary

Power MOSFET

200V P-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The 7P20 uses advanced proprietary, planar stripe, DMOS

technology to provide excellent R_DS(ON), low gate charge and

operation with low gate voltages. This device is suitable for use

as a load switch or in PWM applications. They are also well suited

for high efficiency switching DC/DC converters.

FEATURES

* R_DS(ON)≦0.69Ω @V_GS= -10 V

* Ultra low gate charge ( typical 19 nC )

* Low reverse transfer capacitance ( C_RSS= typical 25 pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

Lead-free:

Halogen-free: 7P20G

7P20L

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-252

Packing

Normal

Lead Free

Halogen Free

7P20G-TN3-R

7P20-TN3-R

7P20L-TN3-R

Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 8

QW-R502-288.a

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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7P224ATA1005C25	MICROSEMI	获取价格	Flash Card, 112MX16, 250ns, CARD-68