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7MBP100VDA120-50

更新时间： 2024-02-07 04:16:12

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	690K
描述
IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / IPM

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7MBP100VDA120-50 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.58
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	Base Number Matches：	1

7MBP100VDA120-50 数据手册

7MBP100VDA120-50

IGBT Modules

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

DC=600V,VCC=15V,T=25℃

Switching Loss vs. Collector Current (typ.)

DC=600V,VCC=15V,T=125℃

E_on

E_off

ｒｒ

100

[ A ]

120

140

160

1500

150

100

[ A ]

120

140

160

Collector current ： I

Reversed biased safe operating area

CC=15V,T≦125℃[Main Terminal] (min.)

Transient thermal resistance (max.)

400

350

300

250

200

150

100

FWD

IGBT

0.1

0.01

RBSOA

(Repetitive pulse)

300

600

900

1200

0.001

0.01

0.1

Collector-Emitter voltage ： V^CE[ V ]

Pulse width ： P [ sec ]

Power derating for IGBT (max.)

[per device]

Power derating for FWD (max.)

[per device]

500

400

300

200

100

400

300

200

100

[ ℃ ]

100

[ ℃ ]

150

Case Temperature ： T

1...3 4 567 8 9...11

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