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74F189FC

更新时间: 2024-02-28 07:01:54
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罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 239K
描述
Standard SRAM

74F189FC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DFP, FL16,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74JESD-30 代码:R-XDFP-F16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DFP封装等效代码:FL16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

74F189FC 数据手册

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