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71V3558S100BGI8

更新时间： 2024-01-09 22:21:29
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 499K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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71V3558S100BGI8 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119针数：119
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.36 mm
最大待机电流：0.045 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.255 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm
Base Number Matches：1

71V3558S100BGI8 数据手册

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IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
FunctionalBlockDiagram  
256x18 BIT  
MEMORY ARRAY  
LBO  
Address A [0:17]  
D
D
Q
Q
Address  
CE1, CE2, CE2  
R/  
W
Control  
CEN  
ADV/LD  
BWx  
DI  
DO  
D
Q
Control Logic  
Clk  
Mux  
Sel  
D
Output Register  
Q
Clock  
Gate  
OE  
5281 drw 01b  
,
TMS  
TDI  
TCK  
Data I/O [0:15],  
I/O P[1:2]  
JTAG  
(SA Version)  
TDO  
TRST  
(optional)  
RecommendedDCOperating  
Conditions  
Symbol  
VDD  
VDDQ  
VSS  
Parameter  
Core Supply Voltage  
I/O Supply Voltage  
Supply Voltage  
Min.  
3.135  
3.135  
0
Typ.  
Max.  
3.465  
3.465  
0
Unit  
V
3.3  
3.3  
V
0
V
____  
VIH  
Input High Voltage - Inputs  
Input High Voltage - I/O  
Input Low Voltage  
2.0  
VDD +0.3  
V
(2)  
____  
____  
VIH  
2.0  
VDDQ +0.3  
0.8  
V
(1)  
VIL  
-0.3  
V
5281 tbl 04  
NOTES:  
1. VIL (min.) = –1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.  
2. VIH (max.) = +6.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.  
6.442  
1234567...28

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