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71V3558S100BGI

更新时间: 2024-02-07 11:15:04
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 499K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

71V3558S100BGI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119针数:119
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.14
Is Samacsys:N最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.36 mm
最大待机电流:0.045 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.255 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

71V3558S100BGI 数据手册

 浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号71V3558S100BGI的Datasheet PDF文件第10页 
IDT71V3556, IDT71V3558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with  
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration - 128K x 36, 119 BGA  
1
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3
4
5
6
7
DDQ  
6
4
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DDQ  
V
A
B
C
D
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F
V
A
A
A
A
A
A
NC(2)  
2
3
2
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A
NC  
NC  
CE  
NC  
NC  
CE2  
15  
LD  
ADV/  
7
A
DD  
V
12  
A
A
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I/O  
P3  
I/O  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
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P2  
I/O  
15  
I/O  
V
V
V
NC  
V
V
V
17  
I/O  
18  
I/O  
13  
I/O  
14  
I/O  
1
CE  
DDQ  
V
19  
I/O  
12  
I/O  
DDQ  
V
OE  
20  
21  
11  
10  
I/O  
I/O  
I/O  
NC(2)  
I/O  
G
H
J
BW  
2
3
BW  
22  
I/O  
23  
I/O  
SS  
V
SS  
9
I/O  
8
I/O  
V
R/W  
DDQ  
DD  
DD  
V
DD  
DDQ  
V
DD(1)  
V
DD(1)  
V
V
V
V
24  
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SS  
SS  
6
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I/O  
I/O  
I/O  
V
CLK  
NC  
V
I/O  
K
L
25  
I/O  
27  
I/O  
4
I/O  
5
I/O  
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BW  
BW1  
DDQ  
28  
SS  
V
SS  
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3
DDQ  
V
M
N
P
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I/O  
I/O  
CEN  
29  
I/O  
30  
I/O  
SS  
1
SS  
SS  
2
I/O  
1
I/O  
V
V
A
A
V
31  
I/O  
P4  
SS  
0
0
I/O  
P1  
I/O  
I/O  
V
,
5
DD  
V
VDD(1)  
14  
13  
NC  
A
NC  
A
NC  
LBO  
NC  
(5)  
10  
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A
NC  
A
A
NC/ZZ  
(3)  
(3)  
(3)  
(3)  
NC/TDO  
(3,4)  
DDQ  
V
DDQ  
V
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
NC/TRST  
U
5281 drw 13A  
Top View  
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA  
1
2
3
4
5
6
7
DDQ  
6
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DDQ  
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
B
C
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E
F
NC(2)  
ADV/LD  
3
2
9
NC  
NC  
CE2  
NC  
NC  
NC  
CE2  
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A
DD  
V
13  
A
A
8
I/O  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
SS  
7
NC  
V
V
V
NC  
V
V
V
V
I/O  
NC  
9
I/O  
6
I/O  
NC  
CE1  
DDQ  
V
5
I/O  
DDQ  
V
NC  
OE  
10  
I/O  
4
I/O  
NC  
NC  
G
H
J
NC(2)  
BW2  
11  
I/O  
SS  
SS  
3
I/O  
NC  
V
V
NC  
R/W  
DD(1)  
DD(1)  
DDQ  
V
DD  
DD  
V
DD  
DDQ  
V
V
V
V
V
12  
SS  
SS  
2
NC  
I/O  
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CLK  
NC  
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K
L
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I/O  
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1
I/O  
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V
V
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1
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DDQ  
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I/O  
SS  
SS  
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V
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V
DDQ  
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M
N
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R
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CEN  
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I/O  
1
0
0
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NC  
A
NC  
P2  
P1  
I/O  
NC  
I/O  
A
NC  
5
DD  
V
12  
A
NC  
NC  
NC  
A
VDD(1)  
LBO  
(5)  
10  
15  
A
14  
A
11  
A
NC/ZZ  
A
NC  
,
(3,4)  
(3)  
(3)  
(3)  
(3)  
NC/TDO  
NC/TRST  
DDQ  
V
DDQ  
V
NC/TMS  
NC/TDI  
NC/TCK  
U
5281drw 13B  
Top View  
NOTES:  
1. J3, J5, and R5 do not have to be directly connected to VDD as long as the input voltage is VIH.  
2. G4 and A4 are reserved for future 8M and 16M respectively.  
3. These pins are NC for the "S" version or the JTAG signal listed for the "SA" version.  
4. TRST is offered as an optional JTAG reset if required in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to VDD.  
5. Pin T7 does not have to be connected directly to VSS as long as the input voltage is VIL; on the latest die revision this pin supports ZZ (sleep mode).  
6.42  
7

与71V3558S100BGI相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
71V3558S100BGI8 IDT ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

获取价格

71V3558S100BQG8 IDT ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA165

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71V3558S133BG IDT ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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71V3558S133BG8 IDT ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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71V3558S133BGG IDT ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BG

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71V3558S133BGG8 IDT ZBT SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA119

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