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70V7519S166BFI

更新时间： 2024-02-07 23:17:18

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艾迪悌 - IDT		/
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22页	226K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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70V7519S166BFI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PQFP
包装说明：	PLASTIC, QFP-208	针数：	208
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G208
JESD-609代码：	e0	长度：	28 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	208	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FQFP
封装等效代码：	QFP208,1.2SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.1 mm
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.83 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	28 mm
Base Number Matches：	1

70V7519S166BFI 数据手册

IDT70V7519S

High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM

Industrial and Commercial Temperature Ranges

PinNames

Left Port

Right Port

Names

Chip Enables

CE^0L

R/W

BA0L - BA5L

CE1L

CE0R, CE1R

R/W

BA0R - BA5R

Read/Write Enable

Output Enable

Bank Address⁽⁴⁾

Address

A0L - A11 L

A0R - A11R

I/O0L - I/O35L

CLK

I/O0R - I/O35R

CLK

Data Input/Output

Clock

PL/FT

ADS

CNTEN

REPEAT

BE0L - BE3L

PL/FT

ADS

CNTEN

REPEAT

BE0R - BE3R

Pipeline/Flow-Through

Address Strobe Enable

Counter Enable

NOTES:

1. V^DD, OPTX, and VDDQX must be set to appropriate operating levels prior to

applying inputs on the I/Os and controls for that port.

(3)

Counter Repeat

2. OPT^Xselects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.

If OPT^Xis set to VIH (3.3V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V

levels and V^DDQXmust be supplied at 3.3V. If OPTX is set to VIL (0V), then that

port's I/Os and address controls will operate at 2.5V levels and V^DDQXmust be

supplied at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can

operate at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate

at 3.3V with the other at 2.5V.

Byte Enables (9-bit bytes)

VDDQL

VDDQR

Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V)⁽¹⁾

(1,2)

OPTL

OPTR

Option for selecting VDDQX

(1)

Power (3.3V)

Ground (0V)

3. When REPEAT^Xis asserted, the counter will reset to the last valid address loaded

via ADS^X.

TDI

TDO

TCK

TMS

TRST

Test Data Input

4. Accesses by the ports into specific banks are controlled by the bank address

pins under the user's direct control: each port can access any bank of memory

with the shared array that is not currently being accessed by the opposite port

(i.e., BA^0L- BA5L ≠ BA0R - BA5R). In the event that both ports try to access the

same bank at the same time, neither access will be valid, and data at the two

specific addresses targeted by the ports within that bank may be corrupted (in

the case that either or both ports are writing) or may result in invalid output (in

the case that both ports are trying to read).

Test Data Output

Test Logic Clock (10MHz)

Test Mode Select

Reset (Initialize TAP Controller)

5618 tbl 01

6.42

1 2 3 456 7 8...22

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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70V7519S166DRI	IDT	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.	获取价格

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