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70V7519S133BF

更新时间： 2024-01-19 06:41:51

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艾迪悌 - IDT		/
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22页	226K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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70V7519S133BF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PQFP
包装说明：	PLASTIC, QFP-208	针数：	208
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.37
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G208	JESD-609代码：	e0
长度：	28 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	208
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FQFP	封装等效代码：	QFP208,1.2SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.1 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	3.15 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.675 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	28 mm

70V7519S133BF 数据手册

IDT70V7519S

High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM

Industrial and Commercial Temperature Ranges

Pin Configuration^(1,2,3,4)(con't.)

11/08/01

I/O16L

156

I/O19L

I/O19R

I/O20L

I/O20R

I/O16R

155

I/O15L

154

I/O15R

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DDQL

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DDQL

VSS

I/O14L

I/O14R

I/O13L

I/O13R

I/O21L

I/O21R

I/O22L

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DDQR

VSS

I/O12L

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I/O11R

I/O23L

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DDQL

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I/O9L

I/O25L

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I/O26L

I/O26R

I/O9R

DDQR

DDQL

DDQR

70V7519DR

DR-208

(5)

DDQL

208-Pin PQFP

I/O8R

I/O8L

I/O7R

I/O7L

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I/O28L

(6)

Top View

DDQR

VSS

I/O6R

I/O6L

I/O5R

I/O5L

I/O29R

I/O29L

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I/O30L

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DDQR

VSS

I/O2R

I/O2L

I/O1R

I/O1L

I/O33R

I/O33L

I/O34R

I/O34L

5618 drw 02a

NOTES:

1. All V^DDpins must be connected to 3.3V power supply.

2. All V^DDQpins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to VIH (3.3V), and 2.5V if OPT pin for that port is set to VIL (0V).

3. All V^SSpins must be connected to ground supply.

4. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.

5. This package code is used to reference the package diagram.

6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.

6.42

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
70V7519S133BFG	IDT	Dual-Port SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,	获取价格
70V7519S133BFG8	IDT	Dual-Port SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH,	获取价格
70V7519S133BFGI	IDT	暂无描述	获取价格
70V7519S133BFGI8	IDT	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM	获取价格
70V7519S133BFI	IDT	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.	获取价格
70V7519S133DR	IDT	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.	获取价格

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