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7006L35L68

更新时间: 2024-01-12 10:10:05
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1531K
描述
Multi-Port SRAM, 16KX8, 35ns, CMOS, CQCC68

7006L35L68 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:QCCN, LCC68,.95SQ
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XQCC-N68JESD-609代码:e0
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8端口数量:2
端子数量:68字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC68,.95SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0015 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.29 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

7006L35L68 数据手册

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