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6MBP75VDA060-50

更新时间： 2024-02-26 11:44:46

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	582K
描述
IGBT MODULE (V series) 600V / 75A / IPM

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6MBP75VDA060-50 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.58
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	Base Number Matches：	1

6MBP75VDA060-50 数据手册

6MBP75VDA060-50

IGBT Modules

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Inverter

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

=25℃[Chip] (typ.)

Tj=25℃[Terminal] (typ.)

150

125

100

150

125

100

V_CC=15V

^CC=15V

V_CC=17V

V_CC=13V

V_CC=17V

V_CC=13V

0.5

1.5

2.5

3.5

0.5

1.5

2.5

3.5

Collector-Emitter voltage ： V^CE[ V ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage

=125℃[Terminal] (typ.)

=125℃[Chip] (typ.)

150

125

100

150

125

100

V_CC=15V

^CC=13V

^CC=17V

V_CC=13V

V_CC=17V

0.5

1.5

2.5

0.5

1.5

2.5

Collector-Emitter voltage ： V^CE[ V ]

Forward current vs. Forward voltage

[Chip] (typ.)

Forward current vs. Forward voltage

[Terminal] (typ.)

150

125

100

150

125

100

T_j=125℃

T_j=25℃

T_j=125℃

T_j=25℃

0.5

1.5

2.5

0.5

1.5

2.5

[ V ]

Forward voltage ： V

[ V ]

Forward voltage ： V

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