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6226-55/BXAJC

更新时间: 2024-02-28 20:14:00
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 740K
描述
x8 SRAM

6226-55/BXAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC32,.45X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class C
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

6226-55/BXAJC 数据手册

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