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5962F9678501VPA

更新时间： 2024-01-24 00:47:48

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瑞萨 - RENESAS		放大器
页数	文件大小	规格书
14页	61K
描述
BUFFER AMPLIFIER, CDIP8

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5962F9678501VPA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP8,.3
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.33.00.01
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
放大器类型：	BUFFER	标称带宽 (3dB)：	225 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	25 µA	最大输入失调电压：	20000 µV
JESD-30 代码：	R-GDIP-T8	JESD-609代码：	e0
标称负供电电压 (Vsup)：	-5 V	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP8,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	+-5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	5.08 mm	标称压摆率：	1660 V/us
子类别：	Buffer Amplifiers	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	BIPOLAR
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

5962F9678501VPA 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

99-07-21

APPROVED

R. MONNIN

Make changes to descriptive designator in 1.2.4, power dissipation in 1.3 and

add 1.5. Boilerplate updated. - ro

R. MONNIN

Replaced reference to MIL-STD-973 with reference to MIL-PRF-38535. - gt

03-09-03

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

PMIC N/A

REV

SHEET

PREPARED BY

RAJESH PITHADIA

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216

CHECKED BY

RAJESH PITHADIA

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

http://www.dscc.dla.mil

APPROVED BY

MICHAEL A. FRYE

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

MICROCIRCUIT, LINEAR, RADIATION

HARDENED, HIGH SPEED, LOW POWER

OUTPUT LIMITING, CLOSED-LOOP BUFFER

AMPLIFIER, MONOLITHIC SILICON

DRAWING APPROVAL DATE

96-02-27

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-96785

67268

SHEET

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E156-03

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

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