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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | CERAMIC, SOJ-36 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-J36 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 23.37 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 4.7 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 12.954 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9561305HYC | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-9561305HYX | ETC | 512Kx8 MONOLITHIC SRAM |
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| 5962-9561305HZA | ETC | x8 SRAM |
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| 5962-9561305HZC | MICROSS | Cache SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, CDSO36, SOJ, CERAMIC-36 |
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| 5962-9561305HZX | ETC | 512Kx8 MONOLITHIC SRAM |
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| 5962-9561306HMA | MICROSS | Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, LCC-32 |
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