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5962-9559503HBA

更新时间: 2024-01-12 23:55:31
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WEDC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
939页 2407K
描述
SRAM Module, 128KX32, 85ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

5962-9559503HBA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:DFP,针数:68
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.53
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:S-CQFP-F68
长度:39.625 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端子数量:68
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX32
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:3.56 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:39.625 mm
Base Number Matches:1

5962-9559503HBA 数据手册

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