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5962-9213202MYA

更新时间: 2024-02-13 20:37:19
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MICROSS 动态存储器内存集成电路
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1页 30K
描述
Fast Page DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18

5962-9213202MYA 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN,针数:18
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.71
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:120 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-CQCC-N18
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
认证状态:Not Qualified刷新周期:256
筛选级别:MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

5962-9213202MYA 数据手册

  

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