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5962-9089912MYX

更新时间: 2024-02-20 17:20:38
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27页 208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

5962-9089912MYX 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.8
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
JESD-30 代码:R-CQCC-N32JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
编程电压:12 V认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class Q最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

5962-9089912MYX 数据手册

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STANDARD MICROCIRCUIT DRAWING SOURCE APPROVAL BULLETIN- continued.  
Standard  
microcircuit drawing  
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See footnotes at end of table.  
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