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5962-9086904MYX

更新时间： 2024-01-11 02:03:08

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	310K
描述
EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, 0.560 X 0.458 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, LCC-32

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技术参数
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5962-9086904MYX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.53
最长访问时间：	200 ns	其他特性：	100000 ENDURANCE CYCLES
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-XQCC-N32
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

5962-9086904MYX 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

92-01-22

APPROVED

Changes in accordance with NOR 5962-R114-92. glg

Changes in accordance with NOR 5962-R160-98. glg

Boilerplate update and part of five year review. tcr

Michael A. Frye

98-08-06

07-04-13

Raymond Monnin

Robert M. Heber

THE ORIGINAL FIRST PAGE OF THIS DRAWING HAS BEEN REPLACED.

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

REV

SHEET

PMIC N/A

PREPARED BY

Kenneth Rice

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

CHECKED BY

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

http://www.dscc.dla.mil

Charles Reusing

APPROVED BY

Michael A. Frye

THIS DRAWING IS

AVAILABLE

FOR USE BY ALL

DEPARTMENTS

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS

64K x 8 ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE

READ ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC

SILICON

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

DRAWING APPROVAL DATE

91-10-18

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-90869

67268

SHEET

1 OF 34

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E079-07

12 3 4 5 6 7...36

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5962-9086905MXX	XICOR	EEPROM, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, 1.685 X 0.600 INCH, 0.225 INCH HEIGHT, DIP-32	获取价格