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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 5962-9053801V2A
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5962-9053801V2A

更新时间： 2024-02-18 20:14:25
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德州仪器 - TI 整流二极管肖特基二极管
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7页 179K
描述
QUAD SCHOTTKY DIODE ARRAY

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5962-9053801V2A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：LCC-20针数：20
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.47Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：S-CQCC-N20元件数量：4
相数：1端子数量：20
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：1 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：1500 µA最大反向恢复时间：0.02 µs
反向测试电压：40 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

5962-9053801V2A 数据手册

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SLUS338A – JUNE 1993 – REVISED MAY 2001  
DW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
J OR N PACKAGE  
(TOP VIEW)  
†
absolute maximum ratings over operating free-air temperature (unless otherwise noted)  
Peak inverse voltage (per diode) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 V  
Diode-to-diode voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 V  
Peak forward current  
UC1611 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 A  
UC3611 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 A  
Power dissipation at T = 70°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 W  
A
Storage temperature range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to 150°C  
stg  
Lead temperature (soldering, 10 seconds) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C  
†
‡
Stresses beyond those listed under “absolute maximum ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and  
functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not  
implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
Please consult packaging section of data book for thermal limitations and considerations of package.  
electrical characteristics, all specifications apply to each individual diode, T = 25°C, T = T ,  
J
A
J
(except as noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
0.3  
TYP  
0.4  
MAX UNITS  
I
I
= 100 mA  
= 1 A  
0.7  
1.2  
0.1  
1.0  
V
V
F
Forward voltage drop  
Leakage current  
0.9  
0.01  
0.1  
20  
F
V
V
= 40 V  
= 40 V,  
mA  
mA  
ns  
ns  
pF  
R
T
J
= 100°C  
R
Reverse recovery  
Forward recovery  
Junction capacitance  
0.5 A forward to 0.5 A reverse  
1 A forward to 1.1 V recovery  
40  
V
= 5V  
100  
R
NOTE: At forward currents of greater than 1.0 A, a parasitic current of approximately 10 mA may be collected by adjacent diodes.  
2
www.ti.com  
1234567

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