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5962-8969101TX

更新时间: 2024-01-28 21:39:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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1页 36K
描述
x8 SRAM

5962-8969101TX 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.26
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子位置:QUADBase Number Matches:1

5962-8969101TX 数据手册

  

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