是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA68,11X11 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.39 |
Samacsys Description: | CGA CAV UP | 最长访问时间: | 90 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 29.464 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA68,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.28 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 29.464 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-8866508ZX | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX16, 90ns, CMOS, CPGA68, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-68 |
获取价格 |
|
5962-8866509UA | ETC | x16 Dual-Port SRAM |
获取价格 |
|
5962-8866509UX | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, FP-68 |
获取价格 |
|
5962-8866509ZA | ETC | x16 Dual-Port SRAM |
获取价格 |
|
5962-8866509ZX | IDT | Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CPGA68, CAVITY-UP, CERAMIC, PGA-68 |
获取价格 |
|
5962-8866510UA | ETC | x16 Dual-Port SRAM |
获取价格 |