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5962-8866201TX

更新时间: 2024-01-29 22:15:17
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其他 - ETC 静态存储器
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12页 376K
描述
x8 SRAM

5962-8866201TX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DFP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-CDFP-F28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
筛选级别:MIL-STD-883最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

5962-8866201TX 数据手册

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