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5962-3826706MXA

更新时间： 2024-02-09 03:26:16

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其他 - ETC		内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
36页	1876K
描述
x8 EEPROM

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5962-3826706MXA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DFP	包装说明：	DFP, FL32,.5
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.26	最长访问时间：	150 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDFP-F32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL32,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	页面大小：	128 words
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.00085 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
宽度：	11.6586 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-3826706MXM	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706MXQ	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706MXV	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706MYA	ETC	获取价格	x8 EEPROM
5962-3826706MZA	ETC	获取价格	x8 EEPROM
5962-3826706MZM	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706MZQ	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706MZV	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706Q6M	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON
5962-3826706Q6Q	MAXWELL	获取价格	MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON