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5962-01-389-3061

更新时间： 2024-01-18 23:50:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 117K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDIP28

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5962-01-389-3061 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.6最长访问时间：20 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e0内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.015 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.17 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

5962-01-389-3061 数据手册

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IDT7164S/L  
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)  
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
DC Electrical Characteristics (VCC = 5.0V ± 10%)  
IDT7164S  
IDT7164L  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
____  
____  
____  
____  
Input Leakage Current  
|ILI|  
VCC = Max.,  
VIN = GND to VCC  
MIL.  
COM'L. & IND  
10  
5
5
2
µA  
____  
____  
____  
____  
|ILO|  
Output Leakage Current  
Output Low Voltage  
VCC = Max., CS1 = VIH,  
MIL.  
COM'L. & IND  
10  
5
5
2
VOUT = GND to VCC  
µA  
V
____  
____  
____  
____  
IOL = 8mA, VCC = Min.  
IOL = 10mA, VCC = Min.  
IOH = -4mA, VCC = Min.  
0.4  
0.4  
VOL  
0.5  
0.5  
____  
____  
VOH  
Output High Voltage  
2.4  
2.4  
V
2967 tbl 09  
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges  
(L Version Only) (VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V)  
Typ.(1 )  
VCC @  
Max.  
VCC @  
Symbol  
VDR  
Parameter  
VCC for Data Retention  
Data Retention Current  
Test Condition  
Min.  
2.0V  
3.0V  
2.0V  
3.0V  
Unit  
V
____  
____  
____  
____  
____  
2.0  
____  
____  
MIL.  
COM'L. & IND  
10  
10  
15  
15  
200  
60  
300  
90  
µA  
ICCDR  
(3)  
____  
____  
____  
____  
tCDR  
Chip Deselect to Data  
Retention Time  
0
ns  
1. CS1 > VHC  
CS2 > VHC, or  
2. CS2 < VLC  
____  
____  
____  
____  
____  
____  
(3 )  
(2 )  
Operation Recovery Time  
Input Leakage Current  
ns  
tR  
tRC  
(3)  
____  
2
2
µA  
II I  
LI  
2967 tbl 10  
NOTES:  
1. TA = +25°C.  
2. tRC = Read Cycle Time.  
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
GND to 3.0V  
Input Rise/Fall Times  
Input Timing Reference Levels  
Output Reference Levels  
AC Test Load  
5ns  
1.5V  
1.5V  
See Figures 1 and 2  
2967 tbl 11  
5V  
5V  
480Ω  
480Ω  
DATAOUT  
255  
DATAOUT  
Ω
5pF*  
255Ω  
30pF*  
,
,
2967 drw 04  
2967 drw 03  
Figure 2. AC Test Load  
(for tCLZ1, tCLZ2, tOLZ, tCHZ1, tCHZ2, tOHZ, tOW, and tWHZ)  
Figure 1. AC Test Load  
*Includes scope and jig capacitances  
4
1234567...11

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