50RIA10M

更新时间： 2024-01-07 03:34:08

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英飞凌 - INFINEON		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
8页	209K
描述
MEDIUM POWER THYRISTORS

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50RIA10M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-65
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us
最大直流栅极触发电流：	100 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
JEDEC-95代码：	TO-208AC	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	80 A	断态重复峰值电压：	100 V
重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

50RIA10M 数据手册

Bulletin I2401 rev. A 07/00

50RIA SERIES

MEDIUM POWER THYRISTORS

Stud Version

Features

High current rating

Excellent dynamic characteristics

dv/dt = 1000V/µs option

Superior surge capabilities

Standard package

50 A

Metric threads version available

Types up to 1600V V_DRM/ V_RRM

TypicalApplications

Phase control applications in converters

Lighting circuits

Battery charges

Regulated power supplies and temperature and

speed control circuit

Can be supplied to meet stringent military,

aerospace and other high-reliability requirements

Major Ratings and Characteristics

50RIA

Parameters

Units

10 to 120

140 to 160

I_T(AV)

°C

@ T_C

I_T(RMS)

I_TSM

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

1430

1200

1490

1257

I²t

10.18

9.30

7.21

KA²s

6.58

V_DRM/V_RRM

100 to 1200

1400 to 1600

typical

110

- 40 to 125

µs

°C

Case Style

TO-208AC (TO-65)

T_J

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
50RIA10MPBF	VISHAY	暂无描述	获取价格
50RIA10MS90	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 50000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
50RIA10MS90PBF	VISHAY	Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-208AC,	获取价格
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