Datasheet > 501NCC100M000BAGR

501NCC100M000BAGR

更新时间： 2024-02-11 02:27:06

品牌	Logo	应用领域
芯科 - SILICON		机械振荡器
页数	文件大小	规格书
7页	505K
描述
LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

501NCC100M000BAGR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	其他特性：	ENABLE/DISABLE FUNCTION; TR
最长下降时间：	7 ns	频率调整-机械：	NO
频率稳定性：	20%	JESD-609代码：	e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	标称工作频率：	100 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
振荡器类型：	LVCMOS	输出负载：	15 pF
物理尺寸：	5.0mm x 3.2mm x 0.9mm	最长上升时间：	7 ns
最大供电电压：	3.6 V	最小供电电压：	1.7 V
表面贴装：	YES	最大对称度：	55/45 %
端子面层：	GOLD OVER NICKEL	Base Number Matches：	1

501NCC100M000BAGR 数据手册

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号501NCC100M000BAGR的Datasheet PDF文件第7页

Si501/2/3/4

LVCMOS CMEMS^®Programmable Oscillator Series

Environmental Compliance and Package Information

Thermal Conditions

Parameter Symbol

Parameter

Test Condition

3.2 x 5 mm, still air

2.5 x 3.2 mm, still air

2 x 2.5 mm, still air

Value

187

239

Unit

Mechanical Shock

MIL-STD-883, M2002 Cond B. (1,500g)

Thermal

_JA

Mechanical Shock High g MIL-STD-883, M2002, Cond. E (10,000g)

ºC/W

Impedance

Mechanical Vibration

Solderability

Temperature Cycle

Resistance to Solder Heat

Contact Pads

MIL-STD-883, Method 2007

MIL-STD-883, Method 2003

JESD22, Method A104

MIL-STD-883, Method 2036

Gold over Nickel/Palladium

241

Clock Timing Characteristics

V_DD= +1.71 V to +3.63 V, T_A= -40 to 85 ºC unless stated otherwise.

Parameter

Startup Time¹

Symbol

T_SU

Test Condition/Comment

From V_DDcrossing 1.71 to first clock

From Stop mode

From Sleep mode

From Doze mode

To Stop

Min Typ

Max

Unit

—

2.5

—

2.5

—

1.5 x T_CLK+ 35 ns

Resume Time ^{2, 3}

T_RUN

2.55

1.5 x T_CLK+ 35 ns

Output Disable Time ^{2, 3}

Frequency Update Time ²

T_D

To Sleep/Doze

To New Frequency

225

s

T_{NEW_FREQ}

—

1. Hold FS/OE high (strong or weak) during powerup for fastest time to clock.

2. Si501 and Si502 only. Si503 has frequency select (FS) only and does not support Stop, Doze or Sleep.

3. T_CLK= clock period = 1/ F_CLK

AC Waveforms

V_DD

1.71V

T_SU

Si501/2/3 Power On Time

R_UP<1k

R_UP>20k

T_D

FS/OE

T_RUN

T_{NEW_FREQ}

Hi-Z

CLK

Si501/2 AC Waveform

R_UP< 1k

R_UP> 20k

R_DOWN> 20k

T_{NEW_ FREQ}

CLK

Hi-Z

Si503 AC Waveform

Revision 0.72

www.silabs.com/cmems

1 234 5 6 7

下载PDF

与501NCC100M000BAGR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
501NCC100M000CAF	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格
501NCC100M000CAFR	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格
501NCC100M000CAG	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格
501NCC100M000CAGR	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格
501NCC100M000DAF	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格
501NCC100M000DAFR	SILICON	LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4	获取价格