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4N48 PDF预览

4N48

更新时间： 2024-01-25 08:54:49
品牌 Logo 应用领域
MII 光电
页数 文件大小 规格书
3页 93K
描述
JAN, JANTX, JANTXV, SINGLE CHANNEL OPTOCOUPLERS

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4N48 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, LCC-6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8541.40.80.00风险等级：5.67
其他特性：HIGH RELIABILITYColl-Emtr Bkdn Voltage-Min：35 V
配置：SINGLE标称电流传输比：100%
最大暗电源：100 nA最大正向电流：0.05 A
最大绝缘电压：1000 V元件数量：1
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLERBase Number Matches：1

4N48 数据手册

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4N47, 4N48, and 4N49  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, SINGLE CHANNEL OPTOCOUPLERS  
°
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = 25 C Unless otherwise specified  
PARAMETER  
Input Diode Static Reverse Current  
Input Diode Static Forward Voltage  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
TEST CONDITIONS  
NOTE  
NOTE  
I
100  
1.7  
1.5  
1.3  
µA  
V = 2V  
R
R
°
-55 C  
1.0  
0.8  
0.7  
°
+25 C  
V
1.4  
V
I
E
= 10mA  
F
°
+100 C  
°
*OUTPUT TRANSISTOR  
PARAMETER  
TA = 25 C Unless otherwise specified  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
(BR)CBO  
TEST CONDITIONS  
I = 100µA, I = 0, I = 0  
C B F  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V
45  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Collector Breakdown Voltage  
V
40  
V
I
= 1mA, I = 0, I = 0  
C B F  
(BR)CEO  
V
7
V
I
= 0, I = 100µA, I = 0  
(BR)EBO  
C
E
F
°
*COUPLED CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TA = 25 C Unless otherwise specified  
SYMBOL MIN TYP MAX UNITS  
TEST CONDITIONS  
NOTE  
On State Collector Current  
4N47  
4N48  
4N49  
4N47  
4N48  
4N49  
4N47  
4N48  
4N49  
0.5  
1.0  
2.0  
0.7  
1.4  
2.8  
0.5  
1.0  
2.0  
mA  
mA  
mA  
I
I
I
5
10  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 5V, I = 0, I = 1mA  
B F  
C(ON)  
C(ON)  
C(ON)  
On State Collector Current  
°
-55 C  
= 5V, I = 0, I = 2mA  
B F  
On State Collector Current  
°
+100 C  
= 5V, I = 0, I = 2mA  
2
B
F
°
Off State Collector Current  
+25 C  
I
100  
100  
nA  
V
V
= 20V, I = 0, I = 0mA  
B F  
C(OFF)  
C(OFF)  
CE  
Off State Collector Current +100°C  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
µA  
= 20V, I = 0, I = 0mA  
B F  
CE  
4N47  
4N48  
4N49  
V
V
V
0.3  
0.3  
0.3  
V
V
V
I
= 0.5mA, I = 0, I = 2mA  
C B F  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
I
I
= 1mA, I = 0, I = 2mA  
B F  
C
C
= 2mA, I = 0, I = 2mA  
B
F
11  
Input to Output Resistance  
R
C
10  
V
= 1kV  
1
1
I-O  
I-O  
IN-OUT  
Input to Output Capacitance  
Rise Time/ Fall Time  
Phototransistor Operation  
5
pF  
µs  
µs  
µs  
f = 1MHz, V  
= 1kV  
IN-OUT  
4N47  
4N48  
4N49  
t / t  
20  
25  
25  
r
f
f
f
t / t  
V
CC  
= 10V, I = 10mA, R = 100Ω  
r
F
L
t / t  
r
Rise Time/ Fall Time  
Photodiode Operation  
4N47  
4N48  
4N49  
t / t  
0.85  
0.85  
0.85  
µs  
µs  
µs  
r
f
f
f
t / t  
V
CC  
= 10V, I = 10mA, R = 100Ω  
F L  
r
t / t  
r
NOTES:  
1.  
2.  
These parameters are measured between all phototransistor leads shorted together and with both input diode leads shorted together.  
This parameter measured using pulse techniques tw =100µs, duty cycle < 1%.  
MICROPAC INDUSTRIES, INC. OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION • 725 E.Walnut St., Garland, TX 75040 • (972) 272-3571 • Fax (972) 487-6918  
www.micropac.com  
E-MAIL: optosales@micropac.com  
3 - 15  
123

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