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4N32SR2VM

更新时间： 2024-01-19 23:53:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电
页数 文件大小 规格书
13页 222K
描述
General Purpose 6-Pin Photodarlington Optocoupler

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4N32SR2VM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SURFACE MOUNT PACKAGE-6
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.80.00
风险等级：5.62其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
当前传输比率-最小值：50%标称电流传输比：500%
最大暗电源：100 nA最大正向电流：0.08 A
最大正向电压：1.5 V最大绝缘电压：7500 V
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最大通态电流：0.15 A最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：0.25 W最长响应时间：0.000005 s
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs表面贴装：YES
Base Number Matches：1

4N32SR2VM 数据手册

 浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第2页浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第3页浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第4页浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第6页浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第7页浏览型号4N32SR2VM的Datasheet PDF文件第8页 
Typical Performance Curves (Continued)  
Fig. 8 CTR vs. RBE (Unsaturated)  
(White Package)  
Fig. 7 CTR vs. RBE (Unsaturated)  
(Black Package)  
1.0  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
0.9  
I
= 20 mA  
F
V
= 5.0 V  
CE  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
I
= 10 mA  
F
I
I
= 20 mA  
= 10 mA  
F
F
I
= 5 mA  
F
I
= 5 mA  
F
V
= 5.0 V  
CE  
10  
100  
1000  
10  
100  
1000  
R
- BASE RESISTANCE (kΩ)  
R
BE  
- BASE RESISTANCE (kΩ)  
BE  
Fig. 9 CTR vs. RBE (Saturated)  
(Black Package)  
Fig. 10 CTR vs. RBE (Saturated)  
(White Package)  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
V
= 0.3 V  
CE  
V
= 0.3 V  
CE  
I
I
= 20 mA  
= 10 mA  
F
I
= 20 mA  
= 10 mA  
F
F
I
F
I
= 5 mA  
F
I
= 5 mA  
F
10  
100  
1000  
10  
100  
1000  
R
- BASE RESISTANCE (k Ω)  
R
BE  
- BASE RESISTANCE (k Ω)  
BE  
Fig. 12 Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current  
(White Package)  
Fig. 11 Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current  
(Black Package)  
100  
10  
1
100  
T
= 25˚C  
A
10  
1
I
= 2.5 mA  
I = 2.5 mA  
F
F
0.1  
0.01  
0.1  
I
= 20 mA  
F
I
= 10 mA  
F
I
= 20 mA  
F
0.01  
I
= 5 mA  
0.1  
F
I
= 5 mA  
F
I
= 10 mA  
F
T
= 25˚C  
A
0.001  
0.001  
0.01  
1
10  
0.01  
0.1  
1
10  
I
C
- COLLECTOR CURRENT (mA)  
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)  
C
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 Rev. 1.0.1  
www.fairchildsemi.com  
5
12345678...13

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