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3N213

更新时间: 2024-01-01 17:32:15
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 放大器
页数 文件大小 规格书
1页 149K
描述
DUAL-GATE MOSFET VHF AMPLIFIER

3N213 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.79配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.36 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

3N213 数据手册

  

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