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3EZ8.2 PDF预览

3EZ8.2

更新时间： 2024-02-24 08:31:19
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管测试IOT
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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3EZ8.2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-15Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.41配置：SINGLE
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：1 Ω
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散：3 W标称参考电压：8.2 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
最大电压容差：6.1%工作测试电流：100 mA
Base Number Matches：1类别：Diodes
VZ (V) nom.：8.2Condition1_IT (mA)：100
PD (mW) max：3000AEC Qualified：NO
最高工作温度：150最低工作温度：-55
是否无铅：否符合Reach：YES
符合RoHS：YESPackage Outlines：DO-15

3EZ8.2 数据手册

 浏览型号3EZ8.2的Datasheet PDF文件第2页 
3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)  
Silicon-Power-Z-Diodes  
(non-planar technology)  
Silizium-Leistungs-Z-Dioden  
(flächendiffundierte Dioden)  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
3 W  
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung  
1…200 V  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
DO-204AC  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammo pack  
see page 16  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
siehe Seite 16  
Dimensions / Maße in mm  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der  
internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf  
Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25ꢀC  
TA = 25ꢀC  
Ptot  
3.0 W 1)  
60 W  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
– 50…+150ꢀC  
TS – 50…+175ꢀC  
Thermal resistance junction to ambient air  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
RthA  
RthL  
< 40 K/W 1)  
< 15 K/W  
Thermal resistance junction to lead  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
1
)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.  
Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.  
2
3
)
)
Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
216  
28.02.2002  
12

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3EZ8.2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
3EZ82 DIOTEC

完全替代

 Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)
C2073 PULSE

功能相似

 RF TRANSFORMER For Wideband RF Applications
3EZ8.2 PANJIT

功能相似

 GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODES

与3EZ8.2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3EZ8.2D10 EIC

获取价格

 		SILICON ZENER DIODES
3EZ8.2D10E3TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 P
3EZ8.2D10TRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 3W,
3EZ8.2D2E3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLAS
3EZ8.2D2E3TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI
3EZ8.2D2TR MICROSEMI

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI
3EZ8.2D2TRE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 2%, 3W,
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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 3%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI
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 		3 Watt DO−41 Surmetic 30 Zener Voltage Regulators

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