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38DN06ELEMXPSA1

更新时间: 2024-01-01 14:16:56
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 325K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5095A, 600V V(RRM), Silicon,

38DN06ELEMXPSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80Factory Lead Time:10 weeks
风险等级:5.72应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.99 V
JESD-30 代码:O-XXSS-X2最大非重复峰值正向电流:32300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:180 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:5095 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:SPECIAL SHAPE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:50000 µA
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

38DN06ELEMXPSA1 数据手册

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Technische Information /  
technical information  
Netz-Gleichrichterdiode  
Rectifier Diode  
38DN06  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
0-50V  
0,33 VRRM  
0,67 VRRM  
0
1
3
5
7
9
11  
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen  
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves  
13  
15  
17  
19  
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus  
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM  
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of  
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM  
IF(OV)M = f (pulses, VRM); Tvj = Tvjmax  
Date of publication: 2011-12-22  
Seite/page 7/8  
Revision: 3.1  

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