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309U200P5PBF

更新时间： 2024-02-07 20:46:46
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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309U200P5PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：O-CUPM-X1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
其他特性：HIGH SURGE CAPABILITY应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-205ABJESD-30 代码：O-CUPM-X1
最大非重复峰值正向电流：8640 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：180 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：330 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：2000 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

309U200P5PBF 数据手册

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301U(R) Series  
Bulletin I2032 rev. A 12/94  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM , maximum repetitive  
VRSM , maximum non-  
IRRM max.  
@ TJ = TJ max.  
mA  
Type number  
peak reverse voltage  
repetitive peak rev. voltage  
V
V
80  
800  
900  
120  
160  
200  
250  
1200  
1600  
2000  
2500  
1300  
1700  
2100  
2600  
301U(R)  
15  
Forward Conduction  
301U(R)  
Parameter  
Units Conditions  
80to200  
330  
250  
300  
120  
IF(AV) Max. average forward current  
@ Case temperature  
A
180° conduction, half sine wave  
120  
°C  
IF(RMS) Max. RMS forward current  
520  
8250  
8640  
6940  
7270  
340  
470  
6050  
6335  
5090  
5330  
183  
A
DC @ TC = 115°C (08 to 20), TC = 102°C (25)  
IFSM  
Max. peak, one-cycle forward,  
non-repetitive surge current  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
A
100% VRRM  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
No voltage  
reapplied  
311  
167  
KA2s  
241  
220  
129  
118  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
100% VRRM  
reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
3400  
1830  
KA2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VF(TO)1 Low level value of threshold  
0.77  
0.90  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
voltage  
V
VF(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
0.84  
0.49  
0.97  
0.59  
(I > π x IF(AV)),TJ = TJ max.  
r
Low level value of forward  
slope resistance  
f1  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
r
High level value of forward  
slope resistance  
f2  
0.49  
1.22  
0.55  
1.46  
(I > π x IF(AV)),TJ = TJ max.  
VFM  
Max. forward voltage drop  
V
I
= 942A, TJ = TJ max, t = 10ms sinusoidal wave  
p
pk  
2
www.irf.com  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
309U200PBF INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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309U250 INFINEON Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 2500V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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309U250P2 INFINEON STANDARD RECOVERY DIODES

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