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305URA200P3

更新时间： 2024-01-29 11:00:48
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 高压大电源高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
8页 218K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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305URA200P3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-CUPM-X1Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
其他特性：HIGH SURGE CAPABILITY应用：HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-205ABJESD-30 代码：O-CUPM-X1
最大非重复峰值正向电流：8640 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最大输出电流：330 A封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：2000 V表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40

305URA200P3 数据手册

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Previous Datasheet  
301U(R) Series  
Index  
Next Data Sheet  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
Voltage Ratings  
Voltage  
Code  
VRRM , maximum repetitive  
VRSM , maximum non-  
IRRM max.  
@ TJ = TJ max.  
mA  
Type number  
peak reverse voltage  
repetitive peak rev. voltage  
V
V
80  
800  
900  
120  
160  
200  
250  
1200  
1600  
2000  
2500  
1300  
1700  
2100  
2600  
301U(R)  
15  
Forward Conduction  
301U(R)  
Parameter  
Units Conditions  
80to200 250  
IF(AV) Max. average forward current  
@ Case temperature  
330  
120  
300  
120  
A
180° conduction, half sine wave  
°C  
IF(RMS) Max. RMS forward current  
520  
8250  
8640  
6940  
7270  
340  
470  
6050  
6335  
5090  
5330  
183  
A
DC @ TC = 115°C (08 to 20), TC = 102°C (25)  
IFSM  
Max. peak, one-cycle forward,  
non-repetitive surge current  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
No voltage  
reapplied  
A
100% VRRM  
reapplied  
No voltage  
reapplied  
Sinusoidal half wave,  
Initial TJ = TJ max.  
I2t  
Maximum I2t for fusing  
311  
167  
KA2s  
241  
220  
129  
118  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
100% VRRM  
reapplied  
I2√t  
Maximum I2√t for fusing  
3400  
1830  
KA2√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied  
VF(TO)1 Low level value of threshold  
0.77  
0.90  
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
voltage  
V
VF(TO)2 High level value of threshold  
voltage  
0.84  
0.49  
0.97  
0.59  
(I > π x IF(AV)),TJ = TJ max.  
r
Low level value of forward  
slope resistance  
1
f
(16.7% x π x IF(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.  
mΩ  
r
High level value of forward  
slope resistance  
2
f
0.49  
1.22  
0.55  
1.46  
(I > π x IF(AV)),TJ = TJ max.  
VFM  
Max. forward voltage drop  
V
I = 942A, TJ = TJ max, t = 10ms sinusoidal wave  
pk p  
To Order  
12345678

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