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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK494BRF

2SK494BRF PDF预览

2SK494BRF

更新时间： 2024-02-05 07:58:57

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
5页	26K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SPAK-3

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2SK494BRF 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	22 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK494BRF 数据手册

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2SK494

Silicon N-Channel Junction FET

Application

Low frequency / High frequency amplifier

Outline

SPAK

1. Drain

2. Gate

1

2

3

3. Source

12 3 4 5

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与2SK494BRF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK494BRR	RENESAS	100mA, 22V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SPAK-3	获取价格
2SK494BTZ	HITACHI	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct	获取价格
2SK494C	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 22V V(BR)DSS \| 22MA I(DSS) \| SPAK	获取价格
2SK494-C	HITACHI	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct	获取价格
2SK494-C	RENESAS	100 mA, 22 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET	获取价格
2SK494CRF	HITACHI	暂无描述	获取价格

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