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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.02 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 22 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 4 pF | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK494DRF | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SK494DRR | RENESAS | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct |
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| 2SK494DTZ | RENESAS | 100mA, 22V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SPAK-3 |
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| 2SK494E | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 22V V(BR)DSS | 40MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK494-E | RENESAS | 100mA, 22V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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| 2SK494ERF | HITACHI | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct |
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