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2SK435ERF

更新时间: 2024-01-05 08:53:24
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日立 - HITACHI 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 34K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN

2SK435ERF 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.21配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:22 V最大漏极电流 (ID):0.1 A
FET 技术:JUNCTIONJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK435ERF 数据手册

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2SK435  
Maximum Channel Dissipation Curve  
Typical Output Characteristics  
20  
16  
12  
8
400  
300  
200  
100  
4
0
2
4
6
8
10  
0
50  
100  
150  
200  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
Typical Transfer Characteristics  
20  
100  
10  
VDS = 5 V  
VDS = 5 V  
f = 1 kHz  
16  
12  
8
1.0  
0.1  
4
0
–1.25 –1.0 –0.75 –0.5 –0.25  
0
0.1  
1.0  
10  
100  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain Current ID (mA)  
3

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