2SJ545

更新时间： 2024-01-12 21:39:29

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ545 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ545 数据手册

2SJ545

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

0.5

Pulse Test

0.4

0.3

0.2

0.1

Tc = –25°C

–2 A

I_D= –5 A

25°C

V_GS= –4 V

–1 A

75°C

–5 A

0.5

–1 A, –2 A

V_DS= –10 V

Pulse Test

–10 V

0.2

–0.1 –0.2

–40

120

160

–0.5 –1

–2

–5 –10

Case Temperature Tc (°C)

Drain Current I_D(A)

Body-Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

500

2000

1000

500

Pulse Test

Ciss

Crss

200

100

200

100

Coss

di / dt = 50 A / µs

_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

–0.1 –0.2

–0.5 –1

–2 –5 –10

–10

–20

–30

–40

–50

Reverse Drain Current I_DR(A)

Dynamic Input Characteristics

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

–20

1000

300

V_DD= –10 V

–25 V

–50 V

–4

d(off)

100

–40

–8

V_GS

V_DS

–60

–12

–16

–20

d(on)

V_DD= –50 V

–25 V

–10 V

–80

V_GS= –10 V, V_DD= –30 V

PW = 5 µs, duty ≤ 1 %

I_D= –12 A

–100

–0.1 –0.2

–0.5 –1 –2

–5 –10

Gate Charge Qg (nc)

Drain Current I_D(A)

Rev.4.00 Jun 05, 2006 page 4 of 7

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