2SJ544-E

更新时间： 2024-01-24 03:22:41

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ544-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ544-E 数据手册

2SJ544

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–1000

–300

–100

10 µs

–30

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

Typical Transfer Characteristics

–50

–40

–30

–20

–10

–50

–40

–30

–20

–10

Pulse Test

–3.5 V

–10 V

–8 V

V_DS= –10 V

Pulse Test

–5 V

–4 V

–3 V

–2.5 V

25°C

Tc = 75°C

V_GS= –2 V

–25°C

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–5

Pulse Test

0.5

–4

–3

–2

–1

0.2

0.1

V_GS= –4 V

0.05

I_D= –50 A

–20 A

–10 A

0.02

0.01

–10 V

–4

–8

–12

–16

–20

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

Drain Current I_D(A)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Rev.3.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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