2SJ543

更新时间： 2024-01-11 09:59:54

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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Silicon P Channel MOS FET

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2SJ543 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ543 数据手册

2SJ543

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–60

Unit

±20

–20

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

–80

Body to drain diode reverse drain current

Avalanche current

–20

Note 3

I_AP

–20

Note 3

Avalanche energy

E_AR

°C

Channel dissipation

Pch ^{Note 2}

Channel temperature

Tch

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

2. Value at Tc = 25°C

3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V _{(BR) DSS}

V _{(BR) GSS}

I_DSS

Min

–60

±20

—

Typ

—

Max

Unit

Test Conditions

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

—

I_D= –10 mA, V_GS= 0

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_DS= –60 V, V_GS= 0

V_GS= ±16 V, V_DS= 0

I_D= –1 mA, V_DS= –10 V

I_D= –10 A, V_GS= –10 V ^{Note 4}

I_D= –10 A, V_GS= –4 V ^{Note 4}

I_D= –10 A, V_DS= –10 V ^{Note 4}

V_DS= –10 V

—

–10

±10

–2.0

µA

I_GSS

—

Gate to source cutoff voltage

Static drain to source on state resistance

V_{GS (off)}

R_{DS (on)}

|y_fs|

–1.0

—

0.042 0.055

0.065 0.095

Ω

—

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

—

1750

800

180

—

Ciss

_GS= 0

f = 1 MHz

_GS= –10 V

Output capacitance

Coss

Crss

t_{d (on)}

t_r

—

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

—

I_D= –10 A

Rise time

—

100

230

140

–1.0

100

R_L= 3 Ω

Turn-off delay time

t_{d (off)}

t_f

—

Fall time

—

Body to drain diode forward voltage

Body to drain diode reverse recovery time

V_DF

—

I_F= –20 A, V_GS= 0

di_F/dt = 50 A/µs

t_rr

—

Note: 4. Pulse test

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 2 of 7

123 4 5 6 7 8

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