2SJ542

更新时间： 2024-01-29 00:31:58

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ542 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ542 数据手册

2SJ542

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

ch – c(t) = s (t) • ch – c

ch – c = 2.08 °C/W, Tc = 25 °C

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Waveform

Vout

Monitor

Vin Monitor

Vin

10%

D.U.T.

90%

= –30 V

Vin

–10 V

90%

10%

50Ω

10%

Vout

td(off)

td(on)

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