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2SD1326P

更新时间: 2024-01-11 20:34:52
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 187K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SOT-186

2SD1326P 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):4 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SD1326P 数据手册

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