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2SD1328T

更新时间： 2024-02-27 20:38:48

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其他 - ETC		晶体晶体管开关光电二极管
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3页	52K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236

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2SD1328T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1328T 数据手册

Transistor

2SD1328

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-voltage output amplification

For muting

Unit: mm

For DC-DC converter

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

0.65±0.15

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

0.65±0.15

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Low ON resistance R_on.

High foward current transfer ratio h_FE

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.1 to 0.3

0.4±0.2

0.5

1:Base

2:Emitter

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

˚C

3:Collector

Mini Type Package

T_j

150

Marking symbol : 1D

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= 25V, I_E= 0

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

I_C= 0.5A, I_B= 20mA^*2

I_C= 0.5A, I_B= 50mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

200

800

0.4

1.2

Forward current transfer ratio

h_FE

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

0.13

Transition frequency

Collector output capacitance

ON resistanse

f_T

200

MHz

C_ob

R_on

1.0

Ω

^*2Pulse measurement

Rank classification

Measurement circuit

1kΩ

Rank

h_FE

I_B=1mA

200 ~ 350

1DR

300 ~ 500

1DS

400 ~ 800

1DT

f=1kHz

V=0.3V

V_B

V_A

Marking Symbol

V_V

V_B

R_on=

✕1000(Ω)

V_A–V_B

12 3

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